活动介绍

随着科技的进步，第三代半导体材料（如氮化镓GaN、碳化硅SiC等）因其卓越的性能在电力电子、射频通信等领域展现出了巨大的应用潜力。然而，这些材料在实际应用中的散热问题成为限制其性能发挥的关键因素之一。并且电子设备向更高集成度和更高效能方向发展，器件的热管理变得日益复杂。瞬态热测试作为一种先进的分析方法，结合结构函数的应用，为深入理解器件热特性提供了强有力的工具。 

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